屏蔽控制电缆的屏蔽层反射损耗(Shielding Reflection Loss,简称 )是衡量屏蔽层对电磁干扰(EMI)反射能力的关键指标,其大小取决于屏蔽层材料特性、电磁波频率及入射角度。以下是详细分析:
一、反射损耗的核心机制
反射损耗表示电磁波在屏蔽层表面被反射的比例,以分贝(dB)为单位,计算公式为:
其中:
:入射介质(如空气)的波阻抗()。
:屏蔽层的表面阻抗(),单位为 (欧姆每平方)。
对于非磁性材料(如铜、铝),表面阻抗 可简化为:
实际计算中,反射损耗的模值(绝对值)为:
由于 通常远小于 377Ω(高频时趋近于 0),反射损耗可进一步简化为:
其中 ,因此:
二、表面阻抗 的计算
表面阻抗 是频率()、材料电导率()和磁导率()的函数:
对于非磁性材料(),实部(电阻分量)和虚部(电抗分量)相等:
其模值为:
代入 ,得:
进一步简化:
其中:
:频率(Hz)。
:材料电导率(S/m),铜的电导率 ,铝 。
三、反射损耗的频率依赖性
将 代入反射损耗公式:
简化后:
对于铜屏蔽层():
因此:
关键结论:反射损耗随频率升高而降低,每增加一个数量级频率,反射损耗减少 10 dB。
四、不同材料和频率下的反射损耗示例
1. 铜屏蔽层()
| 频率 (Hz) | $ | Z_s | Omega/square $) | 反射损耗 (dB) |
|---|---|---|---|---|
| 1 kHz | 115 | |||
| 1 MHz | 95 | |||
| 10 MHz | 85 | |||
| 100 MHz | 75 | |||
| 1 GHz | 0.18 | 65 |
2. 铝屏蔽层()
由于铝的电导率低于铜,相同频率下 更大,反射损耗更低:
反射损耗约降低 2 dB(因 )。
五、影响反射损耗的实际因素
1. 屏蔽层结构
实心屏蔽:表面阻抗均匀,反射损耗稳定。
编织屏蔽:间隙导致表面阻抗不均匀,反射损耗降低 3-5 dB(取决于填充率)。
示例:铜编织带(填充率 80%)在 1 MHz 下的反射损耗约 90 dB(比实心铜低 5 dB)。
2. 氧化和腐蚀
屏蔽层表面氧化(如铜氧化为 )会降低电导率,增加 ,反射损耗下降。
示例:氧化铜的电导率降至 ,1 MHz 下的反射损耗从 95 dB 降至 55 dB。
3. 厚度影响
反射损耗与屏蔽层厚度无关,但厚度影响屏蔽层的吸收损耗()。
总屏蔽效能()为反射损耗和吸收损耗之和:
吸收损耗公式:
其中 为屏蔽层厚度(m)。
六、反射损耗的测试方法
1. 同轴法(ASTM D4935)
将电缆样品置于同轴测试夹具中,测量入射波和反射波的功率比,直接计算反射损耗。
适用频率范围:10 kHz-3 GHz。
2. 屏蔽室法(IEC 61000-4-21)
在屏蔽室内发射已知强度的电磁波,测量屏蔽层内外的场强比,推导反射损耗。
适用频率范围:30 MHz-18 GHz。
七、实际应用中的反射损耗选择
1. 工业自动化(如 Profibus、CAN 总线)
频率范围:10 kHz-1 MHz。
要求:反射损耗 > 80 dB(铜实心屏蔽可满足)。
推荐:铜编织屏蔽(填充率 > 85%),反射损耗约 90 dB。
2. 电力电子(如变频器电缆)
频率范围:1 kHz-100 kHz。
要求:反射损耗 > 100 dB(需实心铜带屏蔽)。
推荐:铜带+铝箔复合屏蔽,反射损耗 > 110 dB。
3. 射频通信(如 RS-485)
频率范围:1 MHz-10 MHz。
要求:反射损耗 > 70 dB(铝编织屏蔽可满足)。
推荐:铝编织屏蔽(填充率 80%),反射损耗约 85 dB。
八、总结
屏蔽控制电缆的屏蔽层反射损耗可通过以下步骤估算:
确定材料电导率:铜 ,铝 。
计算表面阻抗:
计算反射损耗:
或直接使用经验公式(铜屏蔽):
示例:铜屏蔽电缆在 10 MHz 下的反射损耗:
实际设计中,需结合屏蔽层结构(实心/编织)、氧化状态及测试标准综合评估反射损耗。

